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| 品牌 | ROOKO/瑞柯 | 價格區(qū)間 | 1萬-3萬 |
|---|---|---|---|
| 自動化度 | 手動 | 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
| 應用領域 | 醫(yī)療衛(wèi)生,化工,生物產(chǎn)業(yè),能源,電子 |
雙電四探針電阻率詳情介紹
適用范圍
1.覆蓋膜;導電高分子膜，高、低溫電熱膜;隔熱、導電窗膜 導電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;金屬化標簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;電極涂料，其他半導體材料、薄膜材料方阻測試
2.硅晶塊、晶片電阻率及擴散層、外延層、ITO導電箔膜、導電橡膠等材料方塊電阻 半導體材料/晶圓、太陽能電池、電子元器件，導電薄膜（ITO導電膜玻璃等），金屬膜，導電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，
3.EMI涂層等物質(zhì)的薄層電阻與電阻率 導電性油漆，導電性糊狀物，導電性塑料，導電性橡膠，導電性薄膜，金屬薄膜，
4.抗靜電材料， EMI 防護材料，導電性纖維，導電性陶瓷等，
雙電四探針電阻率詳情介紹
功能描述Description：
1. 四探針組合雙電測量方法
2. 液晶顯示，自動測量，自動量程，自動系數(shù)補償.
3. 集成電路系統(tǒng)、恒流輸出.
4. 選配：PC軟件進行數(shù)據(jù)管理和處理.
5. 提供中文或英文兩種語言操作界面選擇
參照標準：
1.硅片電阻率測量的標準（ASTM F84）.
2.GB/T 1551-2009 《硅單晶電阻率測定方法》.
3.GB/T 1551-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流兩探針法》.
4.GB/T 1552-1995《硅、鍺單晶電阻率測定直流四探針法》.
雙電組合測試方法：
利用電流探針、電壓探針的變換，進行兩次電測量，對數(shù)據(jù)進行雙電測分析，解決樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結(jié)果的影響，適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。
工作原理和計算公式
1.雙電測四探針法測試薄層樣品方阻計算和測試原理如下：
直線四探針測試布局如圖8，相鄰針距分別為S1、S2、S3,根據(jù)物理基礎和電學原理：
當電流通過1、4探針，2、3探針測試電壓時計算如下：
